硅压阻压力传感器性能特点介绍
硅压阻压力传感器是采用硅压阻原理，采用单晶硅良好的机械性能和电学性能，通过扩散或离子注入技术将对压力敏感的电阻注入到感压薄膜中，完成感压元件和转换电路的集成而制作的传感器。其主要特点如下：
该压力传感器制作技术相对简单，且MEMS技术与IC技术兼融，成本相对较低。通过结构设计，可提高性能采用芯片结构设计，其灵敏度可以做得很高，完成微、低压力的测量。采用“双岛结构”可完成10Ka的硅微压传感器，采用“梁膜结构”可完成1Ka的硅微微压传感器称重传感器。采用硅压阻压力传感器的结构设计，可完成隔离膜片充液封装，提高硅压阻压力传感器的可靠性和稳定性。
线性好
硅压阻压力传感器，输入和输出之间存在着良好的线性关系，由于硅压阻压力传感器通常有四个力敏电阻组成全桥式的惠斯登桥路，四个电阻虽都受到横向压力，且有相似的非线性特性，但构成全桥时，非线性特性可相互抵消，因此非线性可以做得很小。
技术成熟
硅压阻压力传感器制作技术成熟，生产厂家通常提供恒流、恒压供电的温度补偿网络。
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